p.66. 교류 전류 i를 저항 R에 임의의 시간 동안 흘렸을 때의 발열량이, 같은 R에 직류 전류 I[A]를 같은 시간 동안 흘렸을 때의 발열량과 같을 때 그 교류 i를 실효값 또는 실효치(effective value)라고 한다.

	저항 R[Ω]에 직류 전류 I[A]를 t[sec] 동안 흘렸을 때의 전력 P_dc[W]와 발열량 W[J]는 아래다.

$$ P_{dc}~[\text{W}]=V\cdot I \\ = I^2\cdot R \\ W~[\text{J}]=I^2· R· t $$

	같은 저항 R에 가변 전류 또는 주기파 전류 i(t)가 흐를 때의 순시전력 p는 아래다.

$$ p~[\text{W}]=i^2·R $$

	그런데 전류 i가 직류와 같이 일정한 크기가 아니고 시간에 따라 변하고 있으니 p도 주기적으로 변한다. 

	순시전력 p에 대한 1주기 동안의 평균전력을 p_av라고 하면 아래와 같고, 

$$ p_{av}~[\text{W}]=(i^2·R)의\ 평균=(i^2의\ 평균)·R $$

	t[sec] 동안의 발열량을 w라고 하면 아래다. 

$$ w~[\text{J}]=(i^2의\ 평균)·R·t $$

	그러므로 실효값의 정의에 따라서 아래와 같은 수식은 성립한다. 

$$ W=w \\ \therefore I=\sqrt{i^2의\ 평균} $$

	위 수식은 일반적으로 교류의 실효값을 정한다. 실효값은 순시값의 제곱에 대한 평균값의 평반근을 나타내므로, 실효값을 rms(root mean square value)라고 한다. 

	예시1)

$$ i~[A]=I_m\sin(\omega t)=I_m\sin\theta \\ I~[A]=\sqrt{{1\over T}\int_0^T i^2·dt} $$

p.92. 반도체(semi-conductor)는 저항률이 도체와 절연체의 중간범위에 있는 물질을 일컫는다. …… 저항률(고유저항)이 10^(-4)[Ω·m] ≥ Z 인 구리, 은, 금, 니크롬 등이 도체이고, 저항률이 10^7[Ω·m] ≤ Z 인 대리석, 운모, 고무, 파라핀 등이 절연체이다. 그리고 저항률이 10^(-4) ~ 10^6[Ω·m] 정도의 범위에 속하는 실리콘, 게르마늄 등이 반도체에 속한다.

	일반적으로 전기 전도체 중 금속은 온도가 상승하면 온도의 상승에 비례하여 그 저항치로 증가하는데, 반도체는 온도가 상승하면 금속과는 반대로 그 저항치가 감소하는 성질이 있다. 즉, 반도체의 전기저항은 (-)의 온도계수를 가지고 있으며, 금속에서의 전기전도는 자유전자에의 의하여 이루어지고 있으나, 반도체에서의 전기전도는 전자와 정공으로 이루어진다. 또, 반도체 속에 극소량의 금속원자나 불순물을 혼합시키면 전기저항이 크게 감소한다. 극소량의 불순물에 의하여 고유저항이 크게 변하며, 반도체는 열이나 빛 등을 받으면 전기저항이 변하고, 전압을 가하면 발광하는 등 특유한 현상을 나타낸다. 

	이와 같이, 하나의 물질로 외부 조건을 바꿈으로써 그 성질이 크게 변하는 물질이 반도체의 설명 중 하나다. 

p.95. 반도체를 결정구조에 따라 분류하면 다음과 같은 종류가 있다.

graph TD
  반도체 --> a(진성 반도체); 반도체 --> b(외인성 반도체);
	b --> c(N형 반도체);
	b --> d(P형 반도체);